AT28C64B-15PU

Beim Modell AT28C64B-15PU handelt es sich um einen leistungsstarken, parallelen 64kB (8K x 8bit)-EEPROM in 28-poligem DIP-Gehäuse. Der Speicher ist in 8192 Wörter x 8 Bit organisiert. Dieser EEPROM-Speicher wird mit der fortschrittlichen nichtflüchtigen CMOS-Technologie hergestellt und bietet Zugriffszeiten von 150ns bei einer Verlustleistung von 220mW. Der CMOS-Standby-Strom beträgt weniger als 100μA, wenn der Baustein deaktiviert ist. Der Baustein AT28C64B-15PU steht wie statische RAMs für Lese- und Schreibzyklen zur Verfügung. Es sind keine externen Bauelemente erforderlich. Er verfügt über ein 64-Byte-Seitenregister, das das gleichzeitige Schreiben von bis zu 64 Byte ermöglicht. Er bietet eine interne Fehlerkorrektur für eine verlängerte Lebensdauer und eine verbesserte Datenspeicherung. Darüber hinaus verfügt der AT28C64B-15PU über einen zusätzlichen 64-Byte-EEPROM zur Bausteinerkennung oder Verfolgung.

• CMOS- und TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
• Stromverbrauch im aktiven Modus: 40mA
• Automatischer, seitenweiser Schreibvorgang
• Einfache 5V-Spannungsversorgung
• Hardware- und Software-gesteuerter Datenschutz
• Gemäß JEDEC zugelassene, 1 Byte breite Pinbelegung
• Maximale Schreibzykluszeit, seitenweise: 10ms (Standard)
• Höchst zuverlässige CMOS-Technologie
• Schreibvorgang, seitenweise: 1 Byte bis 64 Byte
• Temperaturbereich: -40°C bis 85°C

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.