mSiC™-Bausteine von Microchip: Überragende Effizienz und Kosteneinsparungen im Vergleich zu Siliziumlösungen
Die mSiC™ MOSFET- und mSiC Diode-Produktlinien von Microchip erhöhen die Systemeffizienz gegenüber Silizium-MOSFET- und IGBT-Lösungen und senken gleichzeitig Ihre Betriebskosten, indem Sie kleinere Systeme und eine kleinere/kostengünstigere Kühlung ermöglichen.
Siliziumkarbid: Was ist die Vorgeschichte von Microchip mit Siliziumkarbid?
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Entwicklungstools
1.200 V Zweikanal
Erweitertes Hochleistungs-SiC-Core-1-Evaluationsboard ASDAK-2ASC-12A1HP-62
Die „Accelerated Silicon Carbide“ Development Kits von Microchip bieten eine vollständige Hardware- und Softwarelösung, mit der Entwickler die Leistung von SiC-Modulen und -Systemen schnell optimieren können.
Diese Kits bieten:
- Intelligentes AgileSwitch®-Konfigurationstool (Intelligent Configuration Tool, ICT) und einen Bausteinprogrammierer (Device Programmer) zur einfachen Systemabstimmung. Löten nicht erforderlich
- Softwarebasierte Konfiguration wichtiger Antriebsparameter, einschließlich:
- Ein/Aus-Gate-Spannungen
- Schwellenwerte für DC-Link und Temperaturfehler
- Augmented Switching™-Profile
- Selbst kleine Anpassungen an den Augmented Switching-Profilen können zu erheblichen Verbesserungen der Schalteffizienz, weniger Überschwingen und Rauschen sowie einem verbesserten Kurzschlussschutz führen.
Mit diesem Toolset können Entwickler die SiC-Leistung präzise und schnell optimieren, wodurch die Entwicklung optimiert und die Markteinführungszeit verkürzt wird.
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Diskrete Einzelkanal-Gate-Treiberplatine (isoliert)
