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LSIC1MO120E0080
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 18,240 € |
| 5+ | 15,930 € |
| 10+ | 13,620 € |
| 50+ | 12,530 € |
| 100+ | 11,440 € |
| 250+ | 11,210 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerLSIC1MO120E0080
Bestellnummer3361191
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id39A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung179W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
179W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung