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IXYN110N120A4
IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
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| 5+ | 27,650 € |
| 10+ | 26,160 € |
| 50+ | 24,680 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXYN110N120A4
Bestellnummer3996592
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationEinfach
DC-Kollektorstrom275A
Dauerkollektorstrom275A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.45V
Dauerkollektorstrom275A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.7V
Verlustleistung Pd830W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Verlustleistung830W
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - TransistorSOT-227
Anzahl der Pins4Pin(s)
IGBT-AnschlussSchraubanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-Technologie-
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Einfach
Dauerkollektorstrom
275A
Dauerkollektorstrom
275A
Verlustleistung Pd
830W
Verlustleistung
830W
Bauform - Transistor
SOT-227
IGBT-Anschluss
Schraubanschluss
IGBT-Technologie
-
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
DC-Kollektorstrom
275A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.45V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.7V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Betriebstemperatur, max.
175°C
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung