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IXFN420N10T
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 420A, 100V, 0.0023 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN420N10T
Bestellnummer3438388
ProduktpaletteGigaMOS HiperFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 29,360 € |
| 5+ | 25,500 € |
| 10+ | 21,630 € |
| 50+ | 21,330 € |
| 100+ | 21,030 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
29,36 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN420N10T
Bestellnummer3438388
ProduktpaletteGigaMOS HiperFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id420A
Drain-Source-Spannung Vds100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0023ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung1.07kW
Verlustleistung Pd1.07kW
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteGigaMOS HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
420A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.07kW
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0023ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
1.07kW
Produktpalette
GigaMOS HiperFET
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung