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IXFN360N10T
MOSFET-Transistor, GigaMOS™, n-Kanal, 360A, 100V, 0.0026 Ohm, 100V, 4.5V, SOT-227B
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN360N10T
Bestellnummer2784061
ProduktpaletteTrench HiperFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 24,050 € |
| 5+ | 22,470 € |
| 10+ | 20,900 € |
| 50+ | 19,320 € |
| 100+ | 17,740 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN360N10T
Bestellnummer2784061
ProduktpaletteTrench HiperFET
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id360A
Drain-Source-Spannung Vds100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand2600µohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung100V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung830W
Verlustleistung Pd830W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
360A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2600µohm
Rds(on)-Prüfspannung
100V
Verlustleistung
830W
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0026ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung Pd
830W
Produktpalette
Trench HiperFET
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03
Produktnachverfolgung