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IXFB30N120P
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFB30N120P
Bestellnummer3438372
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 42,240 € |
| 5+ | 38,670 € |
| 10+ | 35,100 € |
| 50+ | 34,400 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
42,24 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFB30N120P
Bestellnummer3438372
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.35ohm
Bauform - TransistorPLUS264
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6.5V
Verlustleistung1.25kW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolar HiPerFET
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
30A
Bauform - Transistor
PLUS264
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.25kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.35ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung