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IXA60IF1200NA
IGBT-Modul, Einfach, 88 A, 2.1 V, 290 W, 150 °C, SOT-227B
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXA60IF1200NA
Bestellnummer1829727
Technisches Datenblatt
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXA60IF1200NA
Bestellnummer1829727
Technisches Datenblatt
Kontinuierlicher Kollektorstrom88A
IGBT-KonfigurationEinfach
Dauer-Kollektorstrom88A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.1V
Verlustleistung290W
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorSOT-227B
Anzahl der Pins4Pin(s)
IGBT-AnschlussSchraubanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-Technologie-
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
The IXA60IF1200NA is a 1200V XPT IGBT with SONIC™ diode and Extreme-light Punch-Through (XPT™) thin wafer technology. Rugged XPT design results in short circuit rated for 10µsec, very low gate charge and low EMI. The thin wafer technology combined with the XPT design results in a competitive low VCE (sat). SONIC™ diode offers fast and soft reverse recovery as well low operating forward voltage.
- Easy to parallel due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage
- Reduced thermal resistance
- Low energy losses
- Fast switching
- Low tail current
- High power density
- Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to breakdown voltages
- Short circuit capability
Anwendungen
Motorantrieb & -steuerung, Alternative Energien, Medizinelektronik, Power-Management
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kontinuierlicher Kollektorstrom
88A
Dauer-Kollektorstrom
88A
Verlustleistung
290W
Bauform - Transistor
SOT-227B
IGBT-Anschluss
Schraubanschluss
IGBT-Technologie
-
Produktpalette
-
IGBT-Konfiguration
Einfach
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.1V
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03