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S29GL01GT10FHI010
Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerS29GL01GT10FHI010
Bestellnummer2768058
Produktpalette3V Parallel NOR Flash Memories
Auch bekannt alsSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Technisches Datenblatt
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|---|---|
| 1+ | 12,370 € |
| 10+ | 11,410 € |
| 25+ | 11,060 € |
| 50+ | 9,950 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerS29GL01GT10FHI010
Bestellnummer2768058
Produktpalette3V Parallel NOR Flash Memories
Auch bekannt alsSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Technisches Datenblatt
Flash-SpeicherParallel-NOR
Speicherdichte1Gbit
Speicherkonfiguration128M x 8 Bit
SchnittstellenCFI, parallel
IC-Gehäuse / BauformFBGA
Anzahl der Pins64Pin(s)
Taktfrequenz, max.-
Zugriffszeit100ns
Versorgungsspannung, min.2.7V
Versorgungsspannung, max.3.6V
Versorgungsspannung, nom.3V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
S29GL01GT10FHI010 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 45nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- VIO=VCC=2.7- 3.6V(high address sector protected), 100ns random access time
- CFI parallel interface
- Asynchronous 32-byte page read
- 512-byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) - internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 2048byte OTP array w/ 4 lockable region
- Fortified ball-grid array package (LAA064) 13 x 11mm, industrial temperature range from -40 to 85°C
Technische Spezifikationen
Flash-Speicher
Parallel-NOR
Speicherkonfiguration
128M x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
FBGA
Taktfrequenz, max.
-
Versorgungsspannung, min.
2.7V
Versorgungsspannung, nom.
3V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Speicherdichte
1Gbit
Schnittstellen
CFI, parallel
Anzahl der Pins
64Pin(s)
Zugriffszeit
100ns
Versorgungsspannung, max.
3.6V
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.009215
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