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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
5+ | 0,487 € |
50+ | 0,267 € |
250+ | 0,142 € |
1000+ | 0,126 € |
3000+ | 0,0953 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
IRLML2502PBF ist ein einfacher n-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für 20V in Micro3-Bauform (SOT-23). Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über einen äußerst niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche, ein robustes Design sowie eine hohe Schaltfrequenz. Er bietet damit einen äußerst hohen Wirkungsgrad sowie eine hohe Zuverlässigkeit und eignet sich für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
- Drain/Source-Spannung (Vds): 20V
- Gate/Source-Spannung: ± 12V
- Durchgangswiderstand (Rds(on)): 35 mOhm bei Vgs = 4.5V
- Verlustleistung (Pd): 1.25W bei 25°C
- Dauer-Drainstrom (Id): 4.2A bei Vgs = 4.5V und 25°C
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
4.2A
SOT-23
4.5V
1.25W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
20V
0.045ohm
Oberflächenmontage
1.2V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IRLML2502TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat