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IRFB4115PBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFB4115PBF
Bestellnummer1698286
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001565902
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,680 € |
| 10+ | 1,800 € |
| 100+ | 1,450 € |
| 500+ | 1,110 € |
| 1000+ | 1,000 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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2,68 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFB4115PBF
Bestellnummer1698286
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001565902
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id104A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0093ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung380W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFB4115PBF handelt es sich um einen einfachen 150V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der einen äußerst geringen Durchgangswiderstand (RDS(on)) pro Siliziumfläche sowie eine hohe Schaltfrequenz dank der Trench-MOSFET-Technologie bietet. Der Baustein ist für die Synchrongleichrichtung mit hohem Wirkungsgrad in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, High-Speed-Leistungsschaltern, hartschaltenden Schaltungen und Hochfrequenzschaltungen geeignet.
- Verbessertes Gate-, Avalanche- und dynamisches dV/dt-Verhalten
- SOA-Schutz mit vollständig charakterisierter Kapazität und Avalanche-Verhalten
- Verbessertes dV/dt- und dI/dt-Verhalten der Body-Diode
- Halogenfrei
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
104A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
380W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0093ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET Series
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002