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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 3,170 € |
10+ | 2,070 € |
50+ | 1,850 € |
100+ | 1,630 € |
250+ | 1,530 € |
500+ | 1,340 € |
1000+ | 1,120 € |
2500+ | 1,030 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Der IR2153SPBF ist ein selbstoszillierender Halbbrücken-Gate-Treiber-IC, der einen Hochspannungs-Halbbrücken-Gate-Treiber mit einem Frontend-Oszillator vereint, ähnlich dem als Industriestandard gängigen CMOS 555-Timer. Der IR2153 bietet einen größeren Funktionsumfang und ist einfacher zu verwenden als sein Vorgänger-IC. In den CT-Pin wurde eine Abschaltfunktion integriert, sodass beide Gate-Treiber-Ausgänge mithilfe eines Niederspannungs-Steuersignals deaktiviert werden können. Zudem sind die Impulsbreiten an den Gate-Treiber-Ausgängen gleich, sobald der obere Schwellenwert für die Unterspannungsabschaltung an VCC erreicht wurde, wodurch ein stabileres Profil von Frequenz vs. Zeit beim Einschalten erreicht wird. Die Störfestigkeit wurde deutlich verbessert, sowohl durch Senkung der Spitzen-di/dt des Gate-Treibers als auch durch Erhöhen der Hysterese der Unterspannungsabschaltung auf 1V. Besonderes Augenmerk wurde auf die Maximierung der Latch-Up-Festigkeit und die Bereitstellung eines umfassenden ESD-Schutzes an allen Pins gelegt.
- Integrierter, für 600V ausgelegter Halbbrücken-Gate-Treiber; Z-Diodenklemmschaltung an Vcc: typ. 15.6V (ICC=5mA, TA=25°C)
- Echtes Micropower-Einschalten (sehr energiesparend); engere anfängliche Totzeitsteuerung; geringe Temperaturkoeffizient-Totzeit
- Abschaltfunktion (1/6tel Vcc) am CT-Pin; höhere Hysterese der Unterspannungsabschaltung (1V)
- Energiesparendere Pegelumsetzungsschaltung; konstante LO-, HO-Impulsbreiten beim Einschalten
- Gate-Treiber mit niedrigerem di/dt für bessere Störfestigkeit; Low-Side-Ausgang phasengleich mit RT
- Hervorragende Latch-Festigkeit an allen Eingängen und Ausgängen; ESD-Schutz an allen Anschlüssen
- Tastverhältnisbereich, RT-Pin: 48% bis 52% (fo <lt/> 100kHz, TA=25°C)
- Ausgangs-Anstiegszeit: typ. 80ns (VBIAS (VCC, VBS)=12V, CL=1000pF, CT=1nF und TA=25°C)
- Ausgangs-Abfallzeit: typ. 45ns (VBIAS (VCC, VBS)=12V, CL=1000pF, CT=1nF und TA=25°C)
- 8-poliges SOIC-Gehäuse; Sperrschichttemperaturbereich: -40°C bis 125°C
Hinweise
Besonderes Augenmerk wurde auf die Maximierung der Latch-Up-Festigkeit und die Bereitstellung eines umfassenden ESD-Schutzes an allen Pins gelegt. Aufgrund der Marktnachfrage kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
2Kanäle
Halbbrücke
8Pin(s)
Oberflächenmontage
-A
10V
-40°C
80ns
-
MSL 2 - 1 Jahr
-
MOSFET
SOIC
-
-A
20V
125°C
660ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat