IPP530N15N3GXKSA1

IPP530N15N3 G ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit OptiMOS™-Technologie, der sich hervorragend eignet für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und die Synchrongleichrichtung. Der Baustein erreicht eine Reduzierung des RDS (ON) um 40% bzw. 45% bei Gütezahl (FOM) im Vergleich zum nächstbesten Konkurrenzprodukt. Diese deutliche Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten, z. B. den Wechsel von bedrahteten zu SMD-Bauformen oder den effektiven Austausch zweier alter Teile durch einen OptiMOS™.

• Niedrigster Durchgangswiderstand RDS(on)
• Sehr niedrige Qg und Qgd
• Hervorragendes Gateladung x RDS (ON)-Produkt (FOM)
• MSL1-Einstufung 2
• Umweltfreundlich
• Höherer Wirkungsgrad
• Höchste Leistungsdichte
• Erfordert weniger Parallelschaltung
• Kleinster Platzverbrauch auf der Platine
• Vereinfachtes Produktdesign
• Normal-Level
• Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
• Halogenfrei, umweltfreundlich

Anwendungen

Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Fahrzeugelektronik, Kommunikation & Netzwerke, Audio

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab