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IPD60R3K3C6ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD60R3K3C6ATMA1
Bestellnummer2726052
ProduktpaletteCoolMOS C6
Auch bekannt alsIPD60R3K3C6, SP001117718
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,585 € |
| 50+ | 0,461 € |
| 100+ | 0,345 € |
| 500+ | 0,309 € |
| 1000+ | 0,275 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD60R3K3C6ATMA1
Bestellnummer2726052
ProduktpaletteCoolMOS C6
Auch bekannt alsIPD60R3K3C6, SP001117718
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id1.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand3.3ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung18.1W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS C6
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- CoolMOS™ C6-Leistungstransistor (600V, 1.7A) in einem 3-poligen TO-252-Gehäuse
- Äußerst niedrige Verluste aufgrund einer sehr niedrigen FOM (RDS(on)* Qi und Eoss)
- Einfache Steuerung des Schaltverhaltens verbessert die Leistungsdichte
- Sehr robuste Kommutierung
- Benutzerfreundlich; besserer Wirkungsgrad bei leichten Lasten
- Höherer Wirkungsgrad bei mittlerer und geringer Last im Vergleich zu C3
- Herausragende Zuverlässigkeit mit bewährter CoolMOS™-Qualität kombiniert mit robuster Diode
- Effizienter, kompakter, leichter
- Besseres Preis-Leistungs-Verhältnis im Vergleich zu vorherigen CoolMOS™-Generationen
- Reduziert mögliches Ringing aufgrund des Leiterplattenlayouts und parasitäre Effekte
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.7A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
18.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
3.3ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPD60R3K3C6ATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00068
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