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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 0,753 € |
10+ | 0,601 € |
100+ | 0,517 € |
500+ | 0,483 € |
1000+ | 0,473 € |
5000+ | 0,389 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IPD031N03L G handelt es sich um einen 30V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET für Schaltnetzteile (SNT). Der OptiMOS™-30V-MOSFET setzt bei Leistungsdichte und Energieeffizienz neue Maßstäbe. Der Baustein ist zugeschnitten auf die Anforderungen von Power-Management in Notebooks durch ein verbessertes EMI-Verhalten und eine längere Batterielebensdauer.
- Fast switching MOSFET
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Superior thermal resistance
Anwendungen
Power-Management, Computer & Computerperipheriegeräte, Motorantrieb & -steuerung, LED-Beleuchtung
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
90A
TO-252 (DPAK)
10V
94W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
30V
0.0026ohm
Oberflächenmontage
1V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPD031N03LGATMA1
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat