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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB050N10NF2SATMA1
Bestellnummer4134227
ProduktpaletteStronglRFET Series
Auch bekannt alsSP005571710, IPB050N10NF2S
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 1,830 € |
10+ | 1,290 € |
100+ | 0,876 € |
500+ | 0,785 € |
1000+ | 0,579 € |
5000+ | 0,563 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
1,83 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB050N10NF2SATMA1
Bestellnummer4134227
ProduktpaletteStronglRFET Series
Auch bekannt alsSP005571710, IPB050N10NF2S
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id103A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0045ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.8V
Verlustleistung150W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStronglRFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
103A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
150W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0045ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00175
Produktnachverfolgung