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IMBG120R045M1HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 100+ | 7,220 € |
| 250+ | 7,080 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG120R045M1HXTMA1
Bestellnummer3582462RL
ProduktpaletteCoolSiC
Auch bekannt alsIMBG120R045M1H, SP005349829
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id47A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.045ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.045ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung227W
Verlustleistung Pd227W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.045ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung Pd
227W
Produktpalette
CoolSiC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
47A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.045ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
227W
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
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4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0006
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