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IMBF170R450M1XTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 500+ | 3,060 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBF170R450M1XTMA1
Bestellnummer3577330RL
ProduktpaletteCoolSiC
Auch bekannt alsIMBF170R450M1, SP002739682
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id9.8A
Drain-Source-Spannung Vds1.7kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.364ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.364ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung107W
Verlustleistung Pd107W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.7kV
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.364ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung Pd
107W
Produktpalette
CoolSiC
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.364ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
107W
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001497
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