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FF650R17IE4DB2BOSA1
IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFF650R17IE4DB2BOSA1
Bestellnummer1833598
ProduktpalettePrimePACK 2 Series
Auch bekannt alsFF650R17IE4D_B2, SP000621228
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 449,670 € |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFF650R17IE4DB2BOSA1
Bestellnummer1833598
ProduktpalettePrimePACK 2 Series
Auch bekannt alsFF650R17IE4D_B2, SP000621228
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
IGBT-KonfigurationZweifach
Dauerkollektorstrom930A
DC-Kollektorstrom650A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)2V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2V
Verlustleistung4.15kW
Verlustleistung Pd4.15kW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.7kV
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussLötfahne
Anzahl der Pins10Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.7kV
IGBT-TechnologieIGBT 4
TransistormontagePlatte
ProduktpalettePrimePACK 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
FF650R17IE4DB2BOSA1 is a Prime PACK™2 module and NTC. Applications include 3-level-applications, auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, wind turbines.
- Extended operation temperature Tvj op, high DC stability
- High current density, low switching losses
- Enlarged diode for regenerative operation, low VCEsat
- High creepage and clearance distances
- High power and thermal cycling capability
- High power density, copper base plate
- 930A continuous DC collector current (TC = 25°C, Tvj max = 175°C)
- 5.8V typical gate threshold voltage (IC = 24,0mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- 2.3ohm typical internal gate resistor (Tvj = 25°C)
- Temperature range from -40 to +150°C (under switching conditions)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauerkollektorstrom
930A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
2V
Verlustleistung
4.15kW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.7kV
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Lötfahne
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.7kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
IGBT-Konfiguration
Zweifach
DC-Kollektorstrom
650A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2V
Verlustleistung Pd
4.15kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Anzahl der Pins
10Pin(s)
IGBT-Technologie
IGBT 4
Produktpalette
PrimePACK 2 Series
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.825
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