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F411MR12W2M1B76BOMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF411MR12W2M1B76BOMA1
Bestellnummer3773229
ProduktpaletteEasyPACK CoolSiC Trench
Auch bekannt alsSP005419343, F4-11MR12W2M1_B76
Technisches Datenblatt
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF411MR12W2M1B76BOMA1
Bestellnummer3773229
ProduktpaletteEasyPACK CoolSiC Trench
Auch bekannt alsSP005419343, F4-11MR12W2M1_B76
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationFourPack
KanaltypVierfach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0113ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins34Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEasyPACK CoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
FourPack
Dauer-Drainstrom Id
100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0113ohm
Anzahl der Pins
34Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Kanaltyp
Vierfach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
-
Produktpalette
EasyPACK CoolSiC Trench
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hungary
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hungary
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.453592
Produktnachverfolgung