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F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Bestellnummer4759603
ProduktpaletteEasyPACK Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 254,300 € |
| 5+ | 227,650 € |
| 10+ | 200,280 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
254,30 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Bestellnummer4759603
ProduktpaletteEasyPACK Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration3-Level
KanaltypVierfach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id95A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand8300µohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins29Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.15V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
3-Level
Dauer-Drainstrom Id
95A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
8300µohm
Anzahl der Pins
29Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.15V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kanaltyp
Vierfach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
-
Produktpalette
EasyPACK Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung