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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 1,580 € |
10+ | 1,080 € |
100+ | 0,822 € |
500+ | 0,618 € |
1000+ | 0,595 € |
5000+ | 0,556 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The BSC010NE2LSI is a N-channel Power MOSFET features reduced power losses and increased efficiency for all load conditions. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications.
- Optimized for high performance buck converter
- Monolithic integrated Schottky like diode
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free
- Reduces the number of phases in multiphase converters
- Green device
- Save space with smallest packages like CanPAK™
- Minimize EMI in the system making external snubber networks obsolete and products easy to design-in
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Tragbare Geräte, Computer & Computerperipheriegeräte, LED-Beleuchtung
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
100A
TDSON
10V
96W
-
-
No SVHC (21-Jan-2025)
25V
1050µohm
Oberflächenmontage
2V
8Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSC010NE2LSIATMA1
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat