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BFP843H6327XTSA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP843H6327XTSA1
Bestellnummer2781219RL
Auch bekannt alsBFP 843 H6327, SP001062586
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,161 € |
| 500+ | 0,149 € |
| 1000+ | 0,148 € |
| 5000+ | 0,147 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFP843H6327XTSA1
Bestellnummer2781219RL
Auch bekannt alsBFP 843 H6327, SP001062586
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.2.6V
Übergangsfrequenz-
Verlustleistung125mW
Dauerkollektorstrom55mA
Bauform - TransistorSOT-343
Anzahl der Pins4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.150hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
-
Dauerkollektorstrom
55mA
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
2.6V
Verlustleistung
125mW
Bauform - Transistor
SOT-343
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
150hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000003
Produktnachverfolgung