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AUIRLR3410TRL
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,440 € |
| 10+ | 1,770 € |
| 100+ | 1,690 € |
| 500+ | 1,530 € |
| 1000+ | 1,380 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAUIRLR3410TRL
Bestellnummer2725795
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001523020
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.105ohm
Bauform - TransistorTO-252AA
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung79W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Alternativen für AUIRLR3410TRL
2 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
17A
Bauform - Transistor
TO-252AA
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
79W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.105ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung