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AIMBG75R140M1HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMBG75R140M1HXTMA1
Bestellnummer4295104RL
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
Auch bekannt alsAIMBG75R140M1H, SP005582406
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,420 € |
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Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMBG75R140M1HXTMA1
Bestellnummer4295104RL
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
Auch bekannt alsAIMBG75R140M1H, SP005582406
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id17A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.182ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung100W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Gen I Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.182ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
100W
Produktpalette
CoolSiC Gen I Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0013
Produktnachverfolgung