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CoolGaN™ und ähnliche GaN-Schalter erfordern im eingeschalteten Zustand einen kontinuierlichen Gate-Strom von wenigen mA. Zudem ist aufgrund der niedrigen Schwellenspannung und der äußerst hohen Schalttransienten möglicherweise ein negativer „Off“-Spannungspegel erforderlich. Der GaN-Baustein EiceDRIVER™ von Infineon löst diese Probleme nahezu mühelos. Die zwei Ausgangsstufen ermöglichen eine Nullspannung im ausgeschalteten Zustand, um eine Abhängigkeit vom Tastverhältnis zu vermeiden. Zudem kann die differentielle Topologie eine negative Gate-Ansteuerung bereitstellen, ohne dass eine negative Versorgungsspannung erforderlich ist. Der Baustein erfordert jedoch eine potentialfreie Versorgungsspannung, die nicht kompatibel ist mit Bootstrapping.

• Dedizierte Gate-Treiber-ICs für die Hochspannungs-GaN-Leistungsschalter (CoolGaN™, X-GaN™) von Infineon
• Einfache Ausgangs-Versorgungsspannung (typ. 8V, potentialfrei)
• Schaltverhalten unabhängig vom Tastverhältnis (2 „off“-Spannungspegel)
• Differentielles Konzept zum Gewährleisten einer negativen Gate-Treiber-Spannung unter jeder Bedingung
• Kurze Laufzeit von Eingang zu Ausgang (37ns) mit hervorragender Stabilität (+7/-6ns)
• Galvanische Trennung zwischen Eingang und Ausgang basieren auf der kernlosen Transformatortechnologie (CT)
• Störfestigkeit bei Gleichtakt-Transienten (CMTI): <gt/> 200V/ns

Anwendungen

DC/DC-Wandler

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.