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FEMC512GBE-E540
Flash-Speicher, 3D-TLC-NAND, 512 GB, 512G x 8 Bit, eMMC 5.1, FBGA, 153 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerFLEXXON
HerstellerteilenummerFEMC512GBE-E540
Bestellnummer4378892
Produktpalette3.3V eMMC NAND Flash Memories
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerFLEXXON
HerstellerteilenummerFEMC512GBE-E540
Bestellnummer4378892
Produktpalette3.3V eMMC NAND Flash Memories
Technisches Datenblatt
Flash-Speicher3D-TLC-NAND
Speicherdichte512GB
Speicherkonfiguration512G x 8 Bit
SchnittstelleneMMC 5.1
IC-Gehäuse / BauformFBGA
Anzahl der Pins153Pin(s)
Taktfrequenz, max.200MHz
Zugriffszeit-
Versorgungsspannung, min.2.7V
Versorgungsspannung, max.3.6V
Versorgungsspannung, nom.3.3V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette3.3V eMMC NAND Flash Memories
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
FEMC512GBE-E540 is an AXO series industrial eMMC 5.1 flash memory. It is fully comply with JEDEC eMMC5.1 Standard. It is combined with an embedded flash controller and standard 3D TLC NAND flash memory in one JEDEC standard package. It provides high performance, good reliability, and advanced power management. It is suitable for small, low-power electronic devices.
- 512GB capacity, VCCQ: 1.8V/3.3V, VCC: 3.3V power system
- Compliant with eMMC specification Ver. 5.1
- High-speed eMMC protocol, clock frequency range from 0 to 200MHz
- Supports three data bus widths: 1 bit (default), 4bits, 8bits
- Supports high speed mode HS400, supports production state awareness
- Supports field firmware update
- Supply voltage (NAND) range from 2.7 to 3.6V, 1.125V/ns min slew rate (with respect to VIH/VIL)
- Clock rise time is 3ns max (CL ≤30pF), clock fall time is 3ns max (CL ≤30pF)
- Output delay time during data transfer is 13.7ns max (CL ≤30 pF)
- 153-ball FBGA package, operation temperature range from -40°C to 85°C
Technische Spezifikationen
Flash-Speicher
3D-TLC-NAND
Speicherkonfiguration
512G x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
FBGA
Taktfrequenz, max.
200MHz
Versorgungsspannung, min.
2.7V
Versorgungsspannung, nom.
3.3V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
3.3V eMMC NAND Flash Memories
Speicherdichte
512GB
Schnittstellen
eMMC 5.1
Anzahl der Pins
153Pin(s)
Zugriffszeit
-
Versorgungsspannung, max.
3.6V
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:5A992.c
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001