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DMTH10H003SPSW-13
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMTH10H003SPSW-13
Bestellnummer3702808
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,510 € |
| 10+ | 1,730 € |
| 100+ | 1,210 € |
| 500+ | 1,080 € |
| 1000+ | 0,956 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMTH10H003SPSW-13
Bestellnummer3702808
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id166A
Drain-Source-Durchgangswiderstand3000µohm
Bauform - TransistorPowerDI 5060
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.6V
Verlustleistung2.6W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
166A
Bauform - Transistor
PowerDI 5060
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.6W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
3000µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0008
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