DMN24H3D5L-7

Der DMN24H3D5L-7 ist ein N-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp. Diese neue MOSFET-Generation ist für einen minimalen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) bei gleichzeitig hoher Schaltleistung ausgelegt und damit ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen geeignet. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Power-Management-Funktionen, akku-/batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais, Treiber: Relais, Magnete, Lampen, Hämmer, Anzeigen, Speicher, Transistoren etc.

• Niedrige Gate-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität
• Hohe Schaltgeschwindigkeit, kleines SMD-Gehäuse
• Drain-Source-Spannung: 240V bei TA = +25°C
• Gate-Source-Spannung: ±20V bei TA = +25°C
• Kontinuierlicher Drainstrom: 0.48A bei TA = 25°C, VGS = 10V, eingeschwungen
• Gepulster Drainstrom (10µs Impuls, Tastverhältnis = 1%): 1.9A bei TA = +25°C
• Verlustleistung, gesamt: 0.76W bei TA = +25°C
• Kontinuierlicher Body-Dioden-Strom: max. 1.5A bei TA = +25°C
• Gehäuse: SOT23
• Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis +150°C

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.