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BSS123-7-F
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,218 € |
| 50+ | 0,133 € |
| 100+ | 0,0833 € |
| 500+ | 0,0604 € |
| 1500+ | 0,0516 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerBSS123-7-F
Bestellnummer1843725
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand6ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.4V
Verlustleistung300mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSS123-7-F handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET (Anreicherungstyp), der die proprietäre, hochdichte, fortschrittliche Trench-Technologie von DIODES verwendet. Dieser MOSFET verfügt über Anschlüsse mit Mattverzinnung, gehärtet über einem Leiterrahmen aus Legierung 42, und ein Kunststoffgehäuse gemäß UL94V-0. Er ist ausgelegt zum Minimieren des Durchgangswiderstands, während er eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung gewährleistet. Geeignet für Niederspannungs- und -stromanwendungen.
- Niedrige Gate-Schwellenspannung
- Niedrige Eingangskapazität
- Hohe Schaltfrequenz
- AEC-Q101-qualifiziert
- Niedriger Eingangs-/Ausgangsleckstrom
- Hohe Drain/Source-Spannung
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit: MSL1 gemäß J-STD-020
- Umweltfreundliches Produkt
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
170mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSS123-7-F
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008