FM25W256-G

FM25W256-G ist ein SPI-FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) mit 256kB (32K × 8 Bit) in 8-poliger SOIC-Bauform. Die Lese- und Schreibzyklen dieses nichtflüchtigen Speichers sind denen eines RAM-Speichers ähnlich. Daten können bis zu 151 Jahre gespeichert werden. Die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursachten Probleme mit Komplexität, Overhead und Zuverlässigkeit auf Systemebene gehören mit diesem Speicher der Vergangenheit an. Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM führt der FM25W256 Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Verzögerungen bei den Schreibvorgängen. Die Daten werden unverzüglich in das Speicher-Array geschrieben, sobald jedes Byte erfolgreich zum Baustein übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann ohne vorherige Datenabfrage beginnen. Zudem bietet der Baustein eine im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern hohe Schreibbeständigkeit. Der FM25W256 bietet Nutzern von seriellem EEPROM oder Flash deutliche Vorteile als Hardware-Drop-In-Ersatz.

• Lange Lebensdauer: 100 Billionen (10^14) Lese-/Schreibzyklen
• Für Kfz-Anwendungen gemäß AEC-Q100 qualifiziert
• Fortschrittlicher, sehr zuverlässiger ferroelektrischer Prozess
• Frequenz: bis zu 20MHz
• Ausgereifter Schreibschutz
• Niedriger Stromverbrauch
• Wirkstrom bei 1MHz: 250μA
• Standby-Stromverbrauch, typ.: 15μA
• Großer Betriebsspannungsbereich: 2.7V bis 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C

Anwendungen

Entwicklung von Embedded-Systemen