FM24W256-G

FM24W256-G ist ein I2C-FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) mit 256kB (32K × 8 Bit) in 8-poliger SOIC-Bauform. Die Lese- und Schreibzyklen dieses nichtflüchtigen Speichers sind denen eines RAM-Speichers ähnlich. Daten können bis zu 151 Jahre gespeichert werden. Die durch EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursachten Probleme mit Komplexität, Overhead und Zuverlässigkeit auf Systemebene gehören mit diesem Speicher der Vergangenheit an. Im Gegensatz zu EEPROM führt der FM24W256 Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Verzögerungen bei den Schreibvorgängen. Die Daten werden unverzüglich in das Speicher-Array geschrieben, sobald jedes Byte erfolgreich zum Baustein übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann ohne vorherige Datenabfrage beginnen. Zudem bietet der Baustein eine im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern hohe Schreibbeständigkeit. Der FM24W256 bietet Nutzern von seriellem (I2C) EEPROM deutliche Vorteile als Hardware-Drop-In-Ersatz.

• Lange Lebensdauer: 100 Billionen (10^14) Lese-/Schreibzyklen
• Fortschrittlicher, sehr zuverlässiger ferroelektrischer Prozess
• Frequenz: bis zu 1MHz
• Unterstützt Legacy-Timings für 100kHz und 400kHz
• Niedriger Stromverbrauch
• Wirkstrom bei 100KHz: 100μA
• Standby-Stromverbrauch, typ.: 15μA
• Großer Betriebsspannungsbereich: 2.7V bis 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C

Anwendungen

Entwicklung von Embedded-Systemen