FM24C04B-G

FM24C04B-G ist ein nichtflüchtiger 4kB-FRAM. Die Lese- und Schreibzyklen dieses nichtflüchtigen Speichers sind denen eines RAM-Speichers ähnlich. Daten können bis zu 151 Jahre gespeichert werden. Die durch EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursachten Probleme mit Komplexität, Overhead und Zuverlässigkeit auf Systemebene gehören mit diesem Speicher der Vergangenheit an. Im Gegensatz zu EEPROM führt dieser Baustein Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Verzögerungen bei den Schreibvorgängen. Die Daten werden unverzüglich in das Speicher-Array geschrieben, sobald jedes Byte erfolgreich zum Baustein übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann ohne vorherige Datenabfrage beginnen. Zudem bietet der Baustein eine im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern hohe Schreibbeständigkeit. Darüber hinaus weist der FRAM einen niedrigeren Stromverbrauch während der Schreibvorgänge als ein EEPROM auf, da Schreibvorgänge keine intern erhöhte Versorgungsspannung für die Schreibschaltungen erfordern. Dieser FRAM kann 1014 Lese-/Schreibzyklen oder 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen unterstützen als ein EEPROM.

• Lange Lebensdauer: 100 Billionen Lese-/Schreibvorgänge
• NoDelay™-Lesezyklen
• Niedriger Stromverbrauch
• Stromverbrauch im aktiven Modus: 100µA bei 100kHz
• Standby-Strom, typ.: 4µA
• Fortschrittlicher, sehr zuverlässiger ferroelektrischer Prozess
• Unterstützt Legacy-Timings für 100 und 400kHz

Anwendungen

Computer & Computerperipheriegeräte