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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
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1+ | 3,720 € |
10+ | 3,470 € |
25+ | 3,340 € |
50+ | 3,260 € |
100+ | 3,190 € |
250+ | 3,050 € |
500+ | 2,890 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell S25FL256SAGMFI011 handelt es sich um einen nichtflüchtigen 256MB-MirrorBit®-Flash-Speicher-CMOS-3V-Core mit vielseitiger, serieller I/O-Peripherieschnittstelle mit Multi-I/O. Dieser Baustein wird über eine SPI-Schnittstelle an das Hostsystem angeschlossen. Zudem unterstützt der Speicher der Produktreihe FL-S DDR (Double Data Rate)-Lesebefehle für SIO, DIO und QIO, die an beiden Flanken des Takts Adressen übertragen und Daten lesen. Die Eclipse-Architektur verfügt über einen Seitenprogrammierpuffer, der die Programmierung von bis zu 128 Wörtern (256 Bytes) oder 256 Wörtern (512 Bytes) in einem Arbeitsgang ermöglicht, wodurch ein im Vergleich zu SPI-Programmier- oder -Löschalgorithmen schnelleres, effektives Programmieren und Löschen ermöglicht wird. Die Ausführung des Codes direkt aus dem Flash-Speicher wird oft Execute-In-Place oder XIP genannt. Durch die Verwendung von FL-S-Bausteinen bei höheren unterstützten Taktraten, mit QIO- oder DDR-QIO-Befehlen, kann die Übertragungsrate zum Lesen von Befehlen denen herkömmlicher asynchroner NOR-Flash-Speicher mit paralleler Schnittstelle entsprechen oder diese Übertreffen, während die Signalanzahl deutlich reduziert wird.
- SPI-Taktpolarität und Phasenmodi 0 und 3
- Multi-I/O-Befehlssatz und Grundfläche kompatibel mit den SPI-Bausteinen der Produktfamilie S25FL-P
- Common Flash Interface (CFI)-Daten für Konfigurationsinformation
- Quad-input Page Programming (QPP) für Systeme mit langsamem Takt
- Lebensdauer, typ.: 100000 Programmier-/Löschzyklen in jedem Bereich
- Datenspeicherung, typ.: 20 Jahre
- OTP-Array (einmalig programmierbar) mit 1024 Bytes
- Statusregister-Bits zum Steuern des Schutzes gegen Programmieren/Löschen von zusammenhängenden Bereichen
- Individueller Bereichsschutz gesteuert durch Boot-Code oder Passwort
- 65nm-MirrorBit-Technologie mit Eclipse™-Architektur
Technische Spezifikationen
Serial-NOR
32M x 8 Bit
SOIC
133MHz
2.7V
-
-40°C
3V Serial NOR Flash Memories
No SVHC (21-Jan-2025)
256Mbit
SPI
16Pin(s)
-
3.6V
Oberflächenmontage
85°C
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat