FM24C64B-G

FM24C64B-G ist ein serieller I2C-FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) mit 64kB (8K × 8 Bit) in 8-poliger SOIC-Bauform. Dieser nichtflüchtige Speicher nutzt einen fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess und führt Lese- und Schreibzyklen ähnlich denen eines RAM-Speichers aus. Daten können bis zu 151 Jahre gespeichert werden. Die durch EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursachten Probleme mit Komplexität, Overhead und Zuverlässigkeit auf Systemebene gehören mit diesem Speicher der Vergangenheit an. Im Gegensatz zu EEPROM führt der Speicherbaustein FM24C64B Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Verzögerungen bei den Schreibvorgängen. Die Daten werden unverzüglich in das Speicher-Array geschrieben, sobald jedes Byte erfolgreich zum Baustein übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann ohne vorherige Datenabfrage beginnen. Der FRAM-Baustein weist im Vergleich zu einem EEPROM-Speicher einen deutlich niedrigeren Stromverbrauch während des Schreibvorgangs auf, da Schreibvorgänge keine intern erhöhte Versorgungsspannung für die Schreibschaltungen erfordern. Der Baustein FM24C64B bietet Nutzern von seriellem (I2C-) EEPROM deutliche Vorteile als Hardware-Drop-In-Ersatz.

• Für Kfz-Anwendungen gemäß AEC-Q100 qualifiziert
• Fortschrittlicher, sehr zuverlässiger ferroelektrischer Prozess
• Lange Lebensdauer: 100 Billionen Lese-/Schreibvorgänge
• Frequenz bis zu 1MHz
• Unterstützt Legacy-Timings für 100kHz und 400kHz
• Niedriger Stromverbrauch
• Stromverbrauch im aktiven Modus: 100µA bei 100kHz
• Stromverbrauch im Standby-Modus: 4µA
• Versorgungsspannung (VDD): 4.5V bis 5.5V
• Temperaturbereich: -40°C bis 85°C

Anwendungen

Entwicklung von Embedded-Systemen, Fahrzeugelektronik