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9000+ | 0,0142 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC847CLT1G
Bestellnummer2317857
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.420hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BC847CLT1G ist ein universeller NPN-Bipolartransistor zur Verwendung in linearen Anwendungen und Schaltanwendungen. Das Gehäuse des Bausteins ist ausgelegt für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme.
- Feuchtigkeitsempfindlichkeit: MSL-1
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- ESD-Schutz: <gt/>4000V HBM und <gt/>400V MM
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
420hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BC847CLT1G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00003
Produktnachverfolgung