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BSC123N08NS3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC123N08NS3GATMA1
Bestellnummer1775469
Auch bekannt alsBSC123N08NS3 G, SP000443916
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,370 € |
| 10+ | 0,971 € |
| 100+ | 0,751 € |
| 500+ | 0,599 € |
| 1000+ | 0,527 € |
| 5000+ | 0,456 € |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC123N08NS3GATMA1
Bestellnummer1775469
Auch bekannt alsBSC123N08NS3 G, SP000443916
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id55A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0123ohm
Bauform - TransistorPG-TDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung66W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BSC123N08NS3 G handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit führender OptiMOS™-Technologie. Dieser MOSFET ist die marktführende Lösung mit hohem Wirkungsgrad für Stromerzeugungs- und Stromversorgungsanwendungen.
- Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
- Hervorragendes Gateladung x RDS (ON)-Produkt (FOM)
- Herausragender Wärmewiderstand
- Doppelseitige Kühlung
- Niedrige parasitäre Induktivität
- Geringe Bauhöhe
- Normal-Level
- 100% Avalanche-getestet
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
- Halogenfrei, umweltfreundlich
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Kommunikation & Netzwerke, Motorantrieb & -steuerung, LED-Beleuchtung, Fahrzeugelektronik
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
55A
Bauform - Transistor
PG-TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
66W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0123ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000172