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MICRO COMMERCIAL COMPONENTS

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About Micro Commercial Components

MCC (Micro Commercial Components) mit Hauptsitz in den USA ist ein führender Anbieter von diskreten Halbleitern mit einer eigenen Wafergießerei und voller Produktionskapazität. Sein globales Netzwerk, Geschäftsmodell und Portfolio von über 10.000 Bauteilen und Zählungen bieten wettbewerbsfähige Preise und kürzere Lieferzeiten ohne Qualitätseinbußen. Zum Sortiment gehören eine große Auswahl an Dioden, Transistoren, IGBTs, MOSFETs, Schottky-Barriere-Dioden aus Siliziumkarbid, Siliziumkarbid-MOSFETs, Spannungsregler und Schutzvorrichtungen. Unterstützt von einem leistungsstarken Service bietet MCC sofort einsatzbereite Lösungen für die Bereiche Industrie, Automobil, Unterhaltungselektronik und mehr.

MCC nutzt vertikale Integration, um seine Herstellungsprozesse zu optimieren und so Effizienz und Effektivität in jeder Produktionsphase zu gewährleisten. Mit über 50.000 Kunden weltweit ist MCC bestrebt, hochwertige Halbleiterlösungen zu liefern, die die Leistung in verschiedenen Branchen verbessern.

MCC hat sich zum Ziel gesetzt, die Erwartungen der Kunden in Bezug auf Qualität, Kosten und Lieferung zu übertreffen, und setzt seinen Schwerpunkt auf den Aufbau starker Partnerschaften und stetige Verbesserung. Mit engagierter Unterstützung durch fachkundige lokale Anwendungsentwickler und Vertriebsmitarbeiter in mehr als 20 Ländern ist MCC ein vertrauenswürdiger Partner für Kunden, die zuverlässige Halbleiterlösungen suchen.

Neue Produkte

MCU6D5N06YLQ

MCU6D5N06YLQ

Beim MCU6D5N06YLQ handelt es sich um einen 60-V-n-Kanal-Split-Gate-Trench-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und niedriger Gate-Ladung, die eine hervorragende Schaltleistung gewährleisten. Seine Soft-Body-Diode minimiert Spannungsspitzen und reduziert so den Bedarf an Snubber-Schaltungen. Dank seiner AEC-Q101-Zertifizierung ist er für Automobilanwendungen wie Batteriemanagement, Fahrzeugbeleuchtung und Motortreiber geeignet.

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MCAC5D5N03YL

MCAC5D5N03YL

Beim MCAC5D5N03YL handelt es sich um einen 30-V-n-Kanal-Split-Gate-Trench-MOSFET in einem DFN5060-Gehäuse mit ausgezeichneter Wärmeableitung. Der Transistor zeichnet sich durch einen niedrigen Durchgangswiderstand und eine niedrige Gate-Ladung aus, die für eine hervorragende Schaltleistung sorgen. Eine niedrige Gate-Schwellenspannung gewährleistet die Logikkompatibilität. Geeignet für batteriebetriebene Geräte, Motortreiber und LED-Treiber, ideal für allgemeine Anwendungen, die eine hohe Effizienz erfordern.

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SICW025N120H4

SICW025N120H4

Beim SICW025N120H4 handelt es sich um einen 1200-V-SiC-Leistungs-MOSFET in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse mit einer robusten, integrierten Body-Diode für den Drei-Quadranten-Betrieb ohne externe Diode. Er verfügt über einen niedrigen RDS(on) (25 mΩ) und eine hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität und eignet sich somit ideal für Solarwechselrichter, USV und andere Stromversorgungsanwendungen.

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SK510L

SK510L

Beim SK510L handelt es sich um einen Schottky-Barrier-Gleichrichter zur Oberflächenmontage (SMC-Gehäuse) mit hoher Durchlassstoßstrombelastbarkeit. Durch die 100-V-Sperrspannung eignet er sich ideal für Hochfrequenz-Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzdioden in verschiedenen Stromversorgungsanwendungen.

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MCTL270N04YHE3

MCTL270N04YHE3

Beim MCTL270N04YHE3 handelt es sich um einen 40-V-n-Kanal-Split-Gate-Trench-MOSFET in einem TOLL-8L-Gehäuse mit ausgezeichneter Wärmeableitung und extrem niedrigem RDS(on) (1 mΩ). Der Transistor verfügt über eine geringe Gate-Ladung (QG), eine eine geringe Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Body-Diode für schnelle Schaltungen. Dank seiner AEC-Q101-Zertifizierung ist er für Automobilanwendungen wie Batteriemanagement, Fahrzeugbeleuchtung und Motortreiber geeignet.

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MSJPFFR20N60

MSJPFFR20N60

Beim MSJPFFR20N60 handelt es sich um einen 600-V-Super-Junction-MOSFET in einem TO-220F-Gehäuse mit geringem Durchgangswiderstand (193 mΩ) und geringen Leitungsverlusten. Dank Super-Junction-Technologie ermöglicht er sanftes Schalten, eine Fast-Reverse-Recovery-Diode sowie eine äußerst niedrige Gate-Ladung für geringere Anforderungen an das Fahren. Ideal für Solarwechselrichter, USV und Hochspannungsanwendungen.

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GBU8K

GBU8K

Beim GBU8K handelt es sich um einen 4-poligen, glaspassivierten Brückengleichrichter in einem GBU-Gehäuse mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit. Er unterstützt eine Sperrspannung von 800 V und ist für Lasten bis 8 A geeignet, was ihn ideal für Netzteile, Industrieanlagen und andere Hochleistungs-Elektronikanwendungen macht.

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SMBJ5.0CA

SMBJ5.0CA

Bei der SMBJ5.0CA handelt es sich um eine 600-W-TVS-Diode zur Oberflächenmontage in einem DO-214AA-Gehäuse (SMB), die zum Schutz von Elektronik vor Spannungsspitzen wie Blitzschlägen entwickelt wurde. Zu ihren Merkmalen zählen 5 V Betriebsspannung in Sperrrichtung, eine bidirektionale Konfiguration, eine niedrige Induktivität sowie eine schnelle Ansprechzeit (<1 ps). Diese TVS-Diode ist nach UL E480232 zugelassen und ideal für Telekommunikation, Computer, Industrie und Unterhaltungselektronik.

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