DS1220AB-150+

DS1220AB-150+ ist ein nichtflüchtiger 16K-SRAM in einem 24-poligen EDIP-Gehäuse. Dabei handelt es sich um einen nichtflüchtigen 16384-Bit-SRAM, der organisiert ist als 2048 Wörter x 8 Bit. Dieser SRAM hat eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerschaltung, die VCC kontinuierlich auf eine Bedingung außerhalb der Toleranzen überwacht. Wenn eine solche Bedingung auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet, und der Schreibschutz wird uneingeschränkt aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern. Die Lithium-Energiequelle wird automatisch getrennt, um die Frische aufrecht zu erhalten, bis zum ersten Mal Strom angelegt wird. Der NV SRAM kann verwendet werden anstelle von bestehenden 2K x 8-SRAMs und entspricht direkt dem gängigen, Byte breiten, 24-poligen DIP-Gehäuse. Der Baustein entspricht der Pinbelegung von 2716-EPROM und 2816-EEPROM, wodurch er diese direkt ersetzen kann und gleichzeitig die Leistung steigert. Es gibt keine Begrenzung der Anzahl von Schreibzyklen, die ausgeführt werden können, und es ist keine zusätzliche Unterstützungsschaltung für den Anschluss an den Mikroprozessor erforderlich.

• Versorgungsspannungsbereich: 4.75V bis 5.25V
• Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C
• Datenspeicherung: mindestens 10 Jahre ohne externe Stromversorgung
• Daten werden bei Energieverlust automatisch geschützt
• CMOS-Technologie mit geringer Leistungsaufnahme
• Zugriffszeit, Lesen und Schreiben: 150ns
• Spannung, Schreibschutz: 4.62V
• Eingangs-/Ausgangskapazität: 5pF

Anwendungen

Entwicklung von Embedded-Systemen

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

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