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AS4C4M32S-6BIN
DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 4M x 32 Bit, 166 MHz, TFBGA, 90 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerALLIANCE MEMORY
HerstellerteilenummerAS4C4M32S-6BIN
Bestellnummer4729646
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 4,650 € |
| 10+ | 4,330 € |
| 25+ | 4,210 € |
| 50+ | 4,100 € |
| 100+ | 3,910 € |
| 250+ | 3,810 € |
| 500+ | 3,730 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
4,65 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerALLIANCE MEMORY
HerstellerteilenummerAS4C4M32S-6BIN
Bestellnummer4729646
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungSDRAM
Speicherdichte128Mbit
Speicherkonfiguration4M x 32 Bit
Taktfrequenz, max.166MHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins90Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.3.3V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
SDRAM
Speicherkonfiguration
4M x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
3.3V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
128Mbit
Taktfrequenz, max.
166MHz
Anzahl der Pins
90Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001