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HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerAT45DB641E-MHN-Y
Bestellnummer2910029
Produktpalette3V Serial NOR Flash Memories
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) | 
|---|---|
| 1+ | 4,020 € | 
| 10+ | 3,740 € | 
| 25+ | 3,630 € | 
| 50+ | 3,540 € | 
| 100+ | 3,470 € | 
| 250+ | 3,350 € | 
| 500+ | 3,280 € | 
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerAT45DB641E-MHN-Y
Bestellnummer2910029
Produktpalette3V Serial NOR Flash Memories
Technisches Datenblatt
Flash-SpeicherSerial-NOR
Speicherdichte64Mbit
Speicherkonfiguration32K Seiten x 264 Bytes
SchnittstellenSPI
IC-Gehäuse / BauformUDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Taktfrequenz, max.85MHz
Zugriffszeit-
Versorgungsspannung, min.1.7V
Versorgungsspannung, max.3.6V
Versorgungsspannung, nom.-
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette3V Serial NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Flash-Speicher
Serial-NOR
Speicherkonfiguration
32K Seiten x 264 Bytes
IC-Gehäuse / Bauform
UDFN
Taktfrequenz, max.
85MHz
Versorgungsspannung, min.
1.7V
Versorgungsspannung, nom.
-
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Speicherdichte
64Mbit
Schnittstellen
SPI
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Zugriffszeit
-
Versorgungsspannung, max.
3.6V
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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