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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerVSLY5850
Bestellnummer1870807
Technisches Datenblatt
Spitzenwellenlänge850nm
Halbwertswinkel3°
Bauform - DiodeT-1 3/4 (5mm)
Strahlungsintensität (Ie)10mW/Sr
Anstiegszeit10ns
Abfallzeit tf10ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)100mA
Durchlassspannung Vf max.1.9V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
The VSLY5850 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and high speed and moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras, high speed IR data transmission, smoke-automatic fire detectors and IR flash.
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ±3° Narrow angle of half intensity
Technische Spezifikationen
Spitzenwellenlänge
850nm
Bauform - Diode
T-1 3/4 (5mm)
Anstiegszeit
10ns
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV)
100mA
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
MSL
-
Halbwertswinkel
3°
Strahlungsintensität (Ie)
10mW/Sr
Abfallzeit tf
10ns
Durchlassspannung Vf max.
1.9V
Betriebstemperatur, max.
85°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000454
Produktnachverfolgung