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SUP90P06-09L-E3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0074 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,970 € |
| 10+ | 2,950 € |
| 100+ | 2,550 € |
| 500+ | 2,480 € |
| 1000+ | 2,450 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUP90P06-09L-E3
Bestellnummer1684069
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id90A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0074ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung2.4W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
SUP90P06-09L-E3 ist ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET in TrenchFET®-Technologie mit einer Betriebstemperatur von 175°C.
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 62°C/W
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse: 0.6°C/W
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
90A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.4W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0074ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung