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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
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10+ | 4,720 € |
100+ | 2,690 € |
500+ | 2,550 € |
1000+ | 2,410 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP3N150
Bestellnummer1456344
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1.5kV
Dauer-Drainstrom Id2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand6ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung140W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
STP3N150 ist ein PowerMESH™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit minimierten intrinsischen Kapazitäten und Qg. Dieser Leistungs-MOSFET wurde entwickelt mithilfe des konsolidierten, Strip-Layout-basierten MESH OVERLAY™-Verfahrens. So entsteht ein Produkt, das der Leistung vergleichbarer Standardteile von anderen Hersteller entspricht oder diese übertrifft.
- 100% Avalanche-getestet
- Hohe Schaltfrequenz
- Kriechstrecke: 5.4mm
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.5A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
140W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
1.5kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
6ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00204
Produktnachverfolgung