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SCT2H12NZGC11
Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 6,680 € |
| 5+ | 6,670 € |
| 10+ | 6,650 € |
| 50+ | 3,930 € |
| 100+ | 3,570 € |
| 250+ | 3,500 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSCT2H12NZGC11
Bestellnummer2531101
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id3.7A
Drain-Source-Spannung Vds1.7kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.15ohm
Bauform - TransistorTO-3PFM
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung35W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.15ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.7kV
Bauform - Transistor
TO-3PFM
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
35W
Produktpalette
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.011405
Produktnachverfolgung