Seite drucken
IRFZ44NPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 41 A, 0.0175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFZ44NPBF
Bestellnummer8650225
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001565354
Technisches Datenblatt
1.115 auf Lager
4.000 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,390 € |
| 10+ | 1,360 € |
| 100+ | 0,632 € |
| 500+ | 0,538 € |
| 1000+ | 0,463 € |
| 5000+ | 0,419 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
1,39 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFZ44NPBF
Bestellnummer8650225
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001565354
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id41A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0175ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung94W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFZ44NPBF handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche sowie eine schnelle Schaltfrequenz bietet. Durch diese Vorzüge und seine robuste Konstruktion, für welche HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, ist der Baustein für Entwickler eine äußerst effiziente und zuverlässige Lösung zur Verwendung in einer Vielzahl von Anwendungen.
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Vollständig Avalanche-fähig
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
41A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
94W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0175ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
HEXFET Series
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRFZ44NPBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung