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AUIRF1324S-7P
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 429 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAUIRF1324S-7P
Bestellnummer1864802
Auch bekannt alsSP001517176
Technisches Datenblatt
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAUIRF1324S-7P
Bestellnummer1864802
Auch bekannt alsSP001517176
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds24V
Dauer-Drainstrom Id429A
Drain-Source-Durchgangswiderstand800µohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Produktbeschreibung
Beim Modell AUIRF1324S-7P handelt es sich um einen einfachen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der die modernsten Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zudem weist dieser MOSFET eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltfrequenz sowie eine verbesserte wiederholte Avalanche-Fähigkeit auf. Diese Merkmale machen ihn zu einem sehr zuverlässigen Baustein mit äußerst hohem Wirkungsgrad.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Wiederholt Avalanche-fähig bis Tjmax
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
429A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
24V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
800µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007938