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FMMT617
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 3 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 50+ | 0,332 € |
| 100+ | 0,246 € |
| 500+ | 0,207 € |
| 1500+ | 0,201 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerFMMT617
Bestellnummer9526420
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.15V
Dauer-Kollektorstrom3A
Verlustleistung625mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz120MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.450hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FMMT617 ist ein bipolarer NPN-Silizium-Leistungs-Schalttransistor, der eine Verlustleistung von 625mW und eine äußerst niedrige Sättigungsspannung bietet.
- Impulsspitzenstrom: 12A
- Hervorragende hFE-Charakteristik: bis zu 12A
- Äußerst niedriger äquivalenter Durchgangswiderstand
- Komplementärer PNP-Transistor: FMMT717
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
450hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
15V
Verlustleistung
625mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
120MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für FMMT617
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
Produktnachverfolgung