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SQJ459EP-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
- Hersteller:
- VISHAY VISHAY
- Herstellerteilenummer:
- SQJ459EP-T1_GE3
- Bestellnummer:
- 2889725
- Produktsortiment
- TrenchFET Series
- Technisches Datenblatt:
- SQJ459EP-T1_GE3 Datasheet
Produktsortimentsauswahl (TrenchFET Series)
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Die neuen MOSFET von Vishay Siliconix gemäß AEC-Q101 für Kfz-Anwendungen werden mithilfe eines dedizierten Prozessablaufs für hohe Robustheit hergestellt. Die MOSFET der Produktreihe SQ sind ausgelegt für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C und verfügen über n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Durchgangswiderstand in blei (Pb)- und halogenfreien SO-Gehäusen. Optionen umfassen die herkömmlichen D2PAK (TO-263)- und DPAK (TO-252)-Gehäuse sowie mehrere PowerPAK®-Gehäuse, die Platzeinsparungen im Vergleich zu den Bauformen D2PAK, DPAK und SO-8 ermöglichen und gleichzeitig einen ähnlichen Durchgangswiderstand sowie einen vergleichbaren Wärmewiderstand bieten. Die Produktreihe SQ umfasst zudem Bausteine in äußerst kompakten Gehäusen wie TSOP-6, SOT-23 und SC-89.
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Produktspezifikationen
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- :
- p-Kanal
- :
- 60V
- :
- 52A
- :
- 0.0155ohm
- :
- PowerPAK SO
- :
- Oberflächenmontage
- :
- 10V
- :
- 2V
- :
- 83W
- :
- 8Pin(s)
- :
- 175°C
- :
- TrenchFET Series
- :
- AEC-Q101
- :
- -
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