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TFM252012ALVA4R7MTAA
Dünnschichtinduktivität, AEC-Q200, 4.7 µH, 0.2 ohm, 1.8 A, 1008 [Metrisch 2520], TFM-ALVA Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerTFM252012ALVA4R7MTAA
Bestellnummer3386931RL
ProduktpaletteTFM-ALVA Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,313 € |
| 250+ | 0,273 € |
| 500+ | 0,263 € |
| 1500+ | 0,252 € |
| 3000+ | 0,241 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerTDK
HerstellerteilenummerTFM252012ALVA4R7MTAA
Bestellnummer3386931RL
ProduktpaletteTFM-ALVA Series
Technisches Datenblatt
Induktivität4.7µH
DC-Widerstand, max.0.2ohm
Eigenresonanzfrequenz-
DC-Nennstrom1.8A
Bauform/Gehäuse der Induktivität1008 [Metrisch 2520]
ProduktpaletteTFM-ALVA Series
Induktivitätstoleranz± 20%
Bauart der InduktivitätGeschirmt
KernmaterialMetall
Produktlänge2.5mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
4.7µH
Eigenresonanzfrequenz
-
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1008 [Metrisch 2520]
Induktivitätstoleranz
± 20%
Kernmaterial
Metall
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
DC-Widerstand, max.
0.2ohm
DC-Nennstrom
1.8A
Produktpalette
TFM-ALVA Series
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktlänge
2.5mm
Produkthöhe
1.2mm
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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